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      新納米點(diǎn)電子記憶體速度創(chuàng)世界新高

         2012-06-21 轉(zhuǎn)載于網(wǎng)絡(luò)佚名3460
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      美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校和臺(tái)灣新竹納米元件實(shí)驗(yàn)室的研究人員,利用納米點(diǎn)創(chuàng)建的新電子記憶體技術(shù),在寫入和擦除數(shù)據(jù)方面比當(dāng)今主

      美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校和臺(tái)灣新竹納米元件實(shí)驗(yàn)室的研究人員,利用納米點(diǎn)創(chuàng)建的新電子記憶體技術(shù),在寫入和擦除數(shù)據(jù)方面比當(dāng)今主流電荷存儲(chǔ)內(nèi)存產(chǎn)品要快10至100倍,打破了世界紀(jì)錄。相關(guān)研究結(jié)果發(fā)表于最新一期美國(guó)物理協(xié)會(huì)《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》。

      該系統(tǒng)在一層非導(dǎo)電材料中嵌入離散(非重疊)的硅納米點(diǎn),每層跨度約3納米。每個(gè)納米點(diǎn)的功能相當(dāng)于一個(gè)單獨(dú)的存儲(chǔ)位。為了控制內(nèi)存操作,研究人員將這層材料用一層薄薄的金屬覆蓋,形成金屬柵極,以控制晶體管的“開(kāi)”和“關(guān)”狀態(tài)。

      該論文合著者之一、臺(tái)灣新竹納米元件實(shí)驗(yàn)室研究員謝佳民(音譯)說(shuō):“金屬柵極結(jié)構(gòu)是向納米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)內(nèi)存發(fā)展道路上的一個(gè)主流技術(shù)。新系統(tǒng)使用眾多的離散硅納米點(diǎn)來(lái)進(jìn)行電荷的存儲(chǔ)和刪除。這些電荷以一個(gè)快速和簡(jiǎn)單的方式進(jìn)入(數(shù)據(jù)寫入)和離開(kāi)(數(shù)據(jù)擦除)許多離散的納米點(diǎn)。”

      研究人員通過(guò)使用超短脈沖的綠色激光有選擇性地激活金屬柵極內(nèi)存金屬層周圍的特定區(qū)域。由于激光的亞毫秒級(jí)的爆發(fā)非常簡(jiǎn)單而精確,研究人員因而能夠準(zhǔn)確地創(chuàng)建每個(gè)納米點(diǎn)的開(kāi)關(guān)。研究人員解釋說(shuō),這種記憶存儲(chǔ)方法相當(dāng)強(qiáng)大,即使納米區(qū)域中有單個(gè)電荷運(yùn)行失敗,幾乎也不會(huì)影響到其他電荷,由此便能建立穩(wěn)定而長(zhǎng)期的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)平臺(tái)。

      研究人員說(shuō),用于相關(guān)設(shè)備的材料和工藝也與目前主流的集成電路技術(shù)兼容,其不僅能滿足當(dāng)前的CMOS工藝生產(chǎn)線,也可應(yīng)用于其他先進(jìn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)。顯然,這種系統(tǒng)所具有的創(chuàng)紀(jì)錄速度、低電壓和超小尺寸的納米點(diǎn)特性將對(duì)現(xiàn)行的電子計(jì)算機(jī)及其他電子設(shè)備的內(nèi)存提出挑戰(zhàn)。

       

       
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